A Raytheon ultra széles sávszélességű félvezetőket fejleszt
A Raytheon a DARPA megbízásából -egy három éves szerződés keretében- a következő generációs félvezetők kifejlesztésén dolgozik — számolt be a The Defense Post.
Az Egyesült Államok Védelmi Minisztériumának kutatásokért felelős részlege, a Fejlett Védelmi Kutatási Projektek Ügynöksége (Defense Advanced Research Projects Agency – DARPA) hároméves szerződést ítélt oda a Raytheonnak a gyémánt és alumínium-nitrid technológiát alkalmazó, ultra széles sávszélességű félvezetők kifejlesztésére. Az ultraszéles sávszélességű félvezető anyagok nagyobb teljesítményt és hőkezelést biztosítanak az érzékelőkben és más elektronikus alkalmazásokban, lehetővé téve a magasabb hőmérsékleten és szélsőségesebb környezetben való működést.
A szerződés két szakaszból áll. Az első fázisban a Raytheon gyémánt és alumínium-nitrid félvezető filmeket fejleszt és épít be elektronikus eszközökbe. A második fázis ezen anyagok nagyobb átmérőjű ostyáinak optimalizálására összpontosít.
Ultra széles sávszélességű félvezetők
Ezen anyagok egyedülálló tulajdonságai megkönnyítik különböző katonai eszközök gyártását, beleértve a rendkívül kompakt, ultra-nagy teljesítményű rádiófrekvenciás kapcsolóka, nagy teljesítménysűrűségű rádiófrekvenciás erősítőket a radarokhoz, nagyfeszültségű kapcsolókat a teljesítményelektronikához és lézereket.
„Ez egy jelentős előrelépés, amely ismét forradalmasítja a félvezető technológiát. A Raytheon kiterjedt, bizonyított tapasztalattal rendelkezik hasonló anyagok, például gallium-arzenid és gallium-nitrid kifejlesztésében a védelmi minisztérium rendszerei számára. Ezt az úttörő múltat és a fejlett mikroelektronika területén szerzett szakértelmünket ötvözve azon dolgozunk, hogy ezeket az anyagokat a jövőbeli alkalmazásokhoz fejlesszük ki” — mondta Colin Whelan, a Raytheon fejlett technológiáért felelős elnöke.
